【GaN-on-Si】EPC Space社のご紹介【宇宙】

2024/05/21

EPC Space社とは？

EPCSpace社は、GaN-on-Siパワーデバイスの最大手 EPC社と航空宇宙用途のDCDCコンバータを提供するVPT社との合弁会社です。
衛星および高信頼性アプリケーション向けにRad Hard GaN-on-Siトランジスタのソリューションを提供しており、電源 / 光検出と測距（ライダー） / モーター駆動 / イオンスラスターなどの用途で、宇宙での重要な環境に対応します。

GaN-on-Siとは？

窒化ガリウム（GaN）は機械的に安定したワイドバンドギャップ半導体です。
GaNをシリコン（Si）基板上に成長させたパワー半導体の構造をGaN-on-Siと呼びます。
以下の特徴があり、従来のシリコンベースのデバイスのパフォーマンスを大幅に凌駕します。
　・高い絶縁破壊強度
　・高速スイッチング
　・高い熱伝導率
　・低ON抵抗
　・優れた対放射線耐性

EPC Space社は、宇宙やその他過酷な環境向けに、高信頼性放射線硬化エンハンスメントモード窒化ガリウム（eGaN®）パワーマネジメントソリューションを提供し、
重要な宇宙ミッションなどのためのより小型・軽量な回路を実現いたします。

製品ラインナップ

１． Rad Hard GaN Packaged Discretes 　

　・耐放射線性のGaN FET, 表面実装Package品　
　・VDS：40V～300V、ID：1A～95Aまでの幅広いラインナップ　
　・高速動作と低ON抵抗が特徴　
　・QPL認証品のラインナップ拡大中

２． Rad Hard GaN on Ceramic Adaptor　　

　・Dieを基板に実装し更なる小型化を実現　
　・「プラグ・アンド・プレイ」機能を実現するため、PCBへの実装が容易
　・VDS：40V～300V、ID：4A～30Aまでのラインナップ。

３． Rad Hard GaN Drivers and Power Stages

　・高速ゲートドライブ回路とパワースイッチを統合し、小型パッケージで完全なパワーステージ　
　・FET周辺の設計工数を減らし、FET性能を最大限発揮いたします　
　・高速DC-DC変換、同期整流、多相モータ駆動に最適　
　・新製品でICタイプのRad Hard GaN Drivers and Power Stages IC’sも提供　

＊各種デモボードもご紹介可能です
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