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M-CHSファミリ

M-CHSファミリ

M-CHSファミリの特徴
  • 最大電源電圧 : 44V
  • 高速トランジスタを採用(NPN : 2 GHz, バーチカルPNP : 50 MHz)
  • 低雑音ラテラルPNPを採用(HLP2Aトランジスタ)
  • 〜40 V, 〜10 MHz程度までの回路に最適
M-CHSファミリの素子特性
素子 項目 内容
トランジスタ 耐圧 44V(絶対最大定格)
トランジェント
周波数(fT)
NPN Tr HDT1:2GHz、HTW4:2GHz
PNP Tr HLP2:2MHz、HVP3:50MHz
hFE標準値 NPN Tr HDT1:100(@Ic=500μA)、 HTW4:100(@Ic=500μA)
PNP Tr HLP2:100(@Ic=10μA) 、 HVP3:100(@Ic=10μA)
hFE リニアリティ
(HDT1)
hFE(@IC=10μA)/hFE(@IC=100μA)=1.00
抵抗 精度 イオン注入抵抗 絶対精度:±15%、相対精度:±2%(隣接配置の場合)
ポリシリコン抵抗 絶対精度:±20%、相対精度:±3%(隣接配置の場合)
コンデンサ 精度 絶対精度±15%、±2%(隣接配置の場合)
M-CHSファミリの品種一覧
項目 JA5200 JA5201 JA5202 JA5203 JA5204 備考
プロセス 高速バイポーラ・プロセス 名称:M-CHS
電源電圧 14V(絶対最大定格) 推奨電源電圧40V以下
パッド数 24 28 40 52 62  
総素子数注3 653 1029 1786 3087 4561  
総トランジスタ数 189 303 535 932 1382  
NPN
トランジスタ
HDT1 72 120 216 384 576 Ic(MAX)=1mA注1
HTW4 9 15 27 48 72 Ic(MAX)=10mA注1
HEW4 12 14 20 26 31 Ic(MAX)=10mA注1
HTT5 12 14 20 26 31 Ic(MAX)=18mA注2
PNP
トランジスタ
HLP2 48 80 144 256 384 Ic(MAX)=0.12mA注1
(ラテラル)
HLP2A 18 30 54 96 144 ロウ・ノイズPNP
Ic(MAX)=0.12mA注1
(ラテラル)
HVP3 18 80 54 96 144 Ic(MAX)=1mA注1
(バーチカル)
総抵抗数 456 712 1225 2108 3108  
イオン注入
抵抗
500Ω 144 240 426 760 1144 P+抵抗
10KΩ 216 360 639 1140 1716 P-抵抗
ポリシリコン
抵抗
500Ω 96 112 160 208 248 N+抵抗
コンデンサ数(5pF) 8 14 26 47 71 MOS容量

注1:直流電流増幅率(hFE)がピーク時に比べて30%低下するコレクタ電流を指します。
注2:最大電流密度により制約されるため、信頼性上保証できる最大コレクタ電流です。
注3:素子利用率は各素子とも70%以下です。